DMN53D0LDW-13 - MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
RoHS-Status
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Technische Daten für DMN53D0LDW-13
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMN53D0LDW-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 50V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 360mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 46pF @ 25V
Leistung max : 310mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package : SOT-363
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für DMN53D0LDW-13
Datenblätter : DMN53D0LDW-13.pdf
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