1N1189R - DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für 1N1189R

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : 1N1189R
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard, Reverse Polarity
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 35A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 35A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Chassis, Stud Mount
Paket / fall : DO-203AB, DO-5, Stud
Supplier Device Package : DO-5
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 190°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für 1N1189R

Datenblätter : 1N1189R.pdf

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