KHA884901X-MC12 - 8 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production

Hersteller Teilenummer

KHA884901X-MC12

Interne Teilenummer

AX-KHA884901X-MC12

Hersteller

Samsung Semiconductor

Kurze Beschreibung

8 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für KHA884901X-MC12

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : KHA884901X-MC12

Hersteller : Samsung Semiconductor

Beschreibung : 8 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production

Serie : DDR3

Dichte : 8 Gb

Org. : 1024

Geschwindigkeit : 2.0 Gbps

Aktualisierung : 32 ms

Paket : MPGA

Produckstatus : Mass Production

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für KHA884901X-MC12

Datenblätter : KHA884901X-MC12.pdf

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BZ118100WV10136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 30KV AXIAL.
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BZ080110WV25036CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 25PF 30KV.
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WZ135285WP50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV.