FDP4D5N10C - FET ENGR DEV-NOT REL

Hersteller Teilenummer

FDP4D5N10C

Interne Teilenummer

AX-FDP4D5N10C

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

FET ENGR DEV-NOT REL

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

129545 Pieces

Referenzpreis

~~USD 2.165628~~

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Technische Daten für FDP4D5N10C

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDP4D5N10C

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : FET ENGR DEV-NOT REL

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 128A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 310µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 68nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5065pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.4W (Ta), 150W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220-3

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für FDP4D5N10C

Datenblätter : FDP4D5N10C.pdf

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