HS3M V6G - DIODE GEN PURP 3A DO214AB
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-HS3M V6G
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 3A DO214AB
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
4190020 Pieces
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Technische Daten für HS3M V6G
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
HS3M V6G
Hersteller :
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 3A DO214AB
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
-
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
-
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
75ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
10µA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F :
50pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
DO-214AB, SMC
Supplier Device Package :
DO-214AB (SMC)
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 150°C
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für HS3M V6G
Datenblätter :
HS3M V6G.pdf
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