CMH07(TE12L,Q,M) - DIODE GEN PURP 200V 2A M-FLAT
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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 200V 2A M-FLAT
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2472800 Pieces
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Technische Daten für CMH07(TE12L,Q,M)
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : CMH07(TE12L,Q,M)
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : DIODE GEN PURP 200V 2A M-FLAT
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 980mV @ 2A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 100ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOD-128
Supplier Device Package : M-FLAT (2.4x3.8)
Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 150°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für CMH07(TE12L,Q,M)
Datenblätter : CMH07(TE12L,Q,M).pdf
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