EGF1DHE3_A/H - DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für EGF1DHE3_A/H

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : EGF1DHE3_A/H
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
Serie : Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 1A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 2µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-214BA
Supplier Device Package : DO-214BA (GF1)
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für EGF1DHE3_A/H

Datenblätter : EGF1DHE3_A/H.pdf

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