IPB015N04LGATMA1 - MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für IPB015N04LGATMA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPB015N04LGATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 346nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 28000pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 250W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IPB015N04LGATMA1
Datenblätter : IPB015N04LGATMA1.pdf
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