RDD022N60TL - MOSFET N-CH 600V CPT

Hersteller Teilenummer

RDD022N60TL

Interne Teilenummer

AX-RDD022N60TL

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V CPT

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

948870 Pieces

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Technische Daten für RDD022N60TL

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : RDD022N60TL

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V CPT

Serie : -

Teilestatus : Not For New Designs

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.7 Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.7V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 175pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 20W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : CPT3

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : RDD , RDD02

Dokumente für RDD022N60TL

Datenblätter : RDD022N60TL.pdf

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