RN1109MFV,L3F - TRANS PREBIAS NPN 50V 500NA VESM
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 50V 500NA VESM
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
21656 Pieces
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Technische Daten für RN1109MFV,L3F
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
RN1109MFV,L3F
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
TRANS PREBIAS NPN 50V 500NA VESM
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Transistortyp :
NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
50V
Widerstand - Basis (R1) :
47 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) :
22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
70 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
500nA
Frequenz - Übergang :
-
Leistung max :
150mW
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOT-723
Supplier Device Package :
VESM
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für RN1109MFV,L3F
Datenblätter :
RN1109MFV,L3F.pdf
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