RTQ020N03TR - MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6

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MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
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Technische Daten für RTQ020N03TR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RTQ020N03TR
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 3.3nC @ 4.5V
Vgs (Max) : 12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 135pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.25W (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TSMT6 (SC-95)
Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für RTQ020N03TR

Datenblätter : RTQ020N03TR.pdf

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