BUK7E07-55B,127 - MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK

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MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
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Technische Daten für BUK7E07-55B,127

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BUK7E07-55B,127
Hersteller : NXP USA Inc.
Beschreibung : MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Serie : TrenchMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.1 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 53nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3760pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 203W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : I2PAK
Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : BUK7E , BUK7E07

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Datenblätter : BUK7E07-55B,127.pdf

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