DMN1150UFL3-7 - MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310
RoHS-Status
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Technische Daten für DMN1150UFL3-7
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMN1150UFL3-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 115pF @ 6V
Leistung max : 390mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-XFDFN Exposed Pad
Supplier Device Package : X2-DFN1310-6 (Type B)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für DMN1150UFL3-7
Datenblätter : DMN1150UFL3-7.pdf
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