M393B1G73EB0-CMA - DDR3 RDIMM 8 GB 2R x 8 1866 Mbps 1.5 V / 1.35 V 240 (512M x 8) x 18 Mass Production
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DDR3 RDIMM 8 GB 2R x 8 1866 Mbps 1.5 V / 1.35 V 240 (512M x 8) x 18 Mass Production
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Technische Daten für M393B1G73EB0-CMA
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : M393B1G73EB0-CMA
Hersteller : Samsung Semiconductor
Beschreibung : DDR3 RDIMM 8 GB 2R x 8 1866 Mbps 1.5 V / 1.35 V 240 (512M x 8) x 18 Mass Production
Serie : DDR3
DDR : DDR3
Dimm-Typ : RDIMM
Dichte : 8 GB
Rang x Org. : 2R x 8
Geschwindigkeit : 1866 Mbps
Stromspannung : 1.5 V / 1.35 V
Anzahl der Pin : 240
Komponente Zusammensetzung : (512M x 8) x 18
Produckstatus : Mass Production
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für M393B1G73EB0-CMA
Datenblätter : M393B1G73EB0-CMA.pdf
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