FGA50T65SHD - IGBT 650V 100A 319W TO-3PN

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IGBT 650V 100A 319W TO-3PN
RoHS-Status
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Technische Daten für FGA50T65SHD

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FGA50T65SHD
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : IGBT 650V 100A 319W TO-3PN
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 150A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 50A
Leistung max : 319W
Energie wechseln : 1.28mJ (on), 384µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 87nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 22.4ns/73.6ns
Testbedingung : 400V, 50A, 6 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : 34.6ns
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device Package : TO-3PN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : FGA , FGA50

Dokumente für FGA50T65SHD

Datenblätter : FGA50T65SHD.pdf

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