SCT2160KEC - MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247

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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247
RoHS-Status
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Technische Daten für SCT2160KEC

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SCT2160KEC
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 22A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 208 mOhm @ 7A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 62nC @ 18V
Vgs (Max) : +22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1200pF @ 800V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 165W (Tc)
Betriebstemperatur : 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für SCT2160KEC

Datenblätter : SCT2160KEC.pdf

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