ALD1110EPAL - MOSFET 2N-CH 10V 8DIP

Hersteller Teilenummer

ALD1110EPAL

Interne Teilenummer

AX-ALD1110EPAL

Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 10V 8DIP

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

71950 Pieces

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Technische Daten für ALD1110EPAL

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : ALD1110EPAL

Hersteller : Advanced Linear Devices Inc.

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 10V 8DIP

Serie : EPAD®

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET-Funktion : Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 10V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 Ohm @ 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.01V @ 1µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2.5pF @ 5V

Leistung max : 600mW

Betriebstemperatur : 0°C ~ 70°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Paket / fall : 8-DIP (0.300", 7.62mm)

Supplier Device Package : 8-PDIP

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für ALD1110EPAL

Datenblätter : ALD1110EPAL.pdf

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