MRFE8VP8600HSR5 - BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS
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Kurze Beschreibung
BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für MRFE8VP8600HSR5
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : MRFE8VP8600HSR5
Hersteller : NXP USA Inc.
Beschreibung : BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : LDMOS
Frequenz : 860MHz
Gewinnen : 21dB
Spannungs - Test : 50V
Aktuelle Bewertung : 20µA
Rauschzahl : -
Aktueller Test : 1.4A
Leistung : 140W
Spannung - bewertet : 115V
Paket / fall : NI-1230S-4S
Supplier Device Package : NI-1230S-4S
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für MRFE8VP8600HSR5
Datenblätter : MRFE8VP8600HSR5.pdf
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