FDD5612 - MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK

Hersteller Teilenummer

FDD5612

Interne Teilenummer

AX-FDD5612

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1107695 Pieces

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Technische Daten für FDD5612

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDD5612

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 5.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 660pF @ 30V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3.8W (Ta), 42W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-252-3

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für FDD5612

Datenblätter : FDD5612.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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