2SCR586D3TL1 - POWER TRANSISTOR WITH LOW VCESA

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Hersteller
Kurze Beschreibung
POWER TRANSISTOR WITH LOW VCESA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1260935 Pieces
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Technische Daten für 2SCR586D3TL1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : 2SCR586D3TL1
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : POWER TRANSISTOR WITH LOW VCESA
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : NPN
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 5A
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 80V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 300mV @ 100mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 120 @ 500mA, 3V
Leistung max : 10W
Frequenz - Übergang : 200MHz
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package : TO-252
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : 2SCR , 2SCR58

Dokumente für 2SCR586D3TL1

Datenblätter : 2SCR586D3TL1.pdf

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