IPB65R190C6ATMA1 - MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263
RoHS-Status
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Technische Daten für IPB65R190C6ATMA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPB65R190C6ATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263
Serie : CoolMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 730µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 73nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1620pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 151W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IPB65R190C6ATMA1
Datenblätter : IPB65R190C6ATMA1.pdf
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