IXFN120N65X2 - MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IXFN120N65X2
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für IXFN120N65X2
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXFN120N65X2
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227
Serie : HiPerFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 108A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 54A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 225nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 15500pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 890W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : SOT-227B
Paket / fall : SOT-227-4, miniBLOC
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IXFN120N65X2
Datenblätter : IXFN120N65X2.pdf
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