FDD6680AS - MOSFET N-CH 30V 55A DPAK

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MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
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Technische Daten für FDD6680AS

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDD6680AS
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Serie : PowerTrench®, SyncFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 55A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.5 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1200pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 60W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-252
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für FDD6680AS

Datenblätter : FDD6680AS.pdf

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