2N7002ET1G - MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-2N7002ET1G
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
12892390 Pieces
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Technische Daten für 2N7002ET1G
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
2N7002ET1G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
260mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.5 Ohm @ 240mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
0.81nC @ 5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
26.7pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
300mW (Tj)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für 2N7002ET1G
Datenblätter :
2N7002ET1G.pdf
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