IPP65R110CFDAAKSA1 - MOSFET N-CH 650V TO-220-3
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
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Technische Daten für IPP65R110CFDAAKSA1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IPP65R110CFDAAKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
Serie :
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
31.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
110 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1.3mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
118nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3240pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
277.8W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO220-3
Paket / fall :
TO-220-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IPP65R110CFDAAKSA1
Datenblätter :
IPP65R110CFDAAKSA1.pdf
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