IAUS165N08S5N029ATMA1 - MOSFET N-CH 80V 660A PG-HSOG-8-1
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 660A PG-HSOG-8-1
RoHS-Status
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Technische Daten für IAUS165N08S5N029ATMA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IAUS165N08S5N029ATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 80V 660A PG-HSOG-8-1
Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 165A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 108µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 90nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6370pF @ 40V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 167W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-HSOG-8-1
Paket / fall : 8-PowerSMD, Gull Wing
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IAUS165N08S5N029ATMA1
Datenblätter : IAUS165N08S5N029ATMA1.pdf
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