SIA485DJ-T1-GE3 - MOSFET P-CHANNEL 150V 1.6A
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Kurze Beschreibung
MOSFET P-CHANNEL 150V 1.6A
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für SIA485DJ-T1-GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SIA485DJ-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET P-CHANNEL 150V 1.6A
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 150V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 155pF @ 75V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 15.6W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerPAK® SC-70-6 Single
Paket / fall : PowerPAK® SC-70-6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SIA485DJ-T1-GE3
Datenblätter : SIA485DJ-T1-GE3.pdf
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