GPAS1006 MNG - DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-GPAS1006 MNG
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1791590 Pieces
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Technische Daten für GPAS1006 MNG
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : GPAS1006 MNG
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 800V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 10A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 800V
Kapazität @ Vr, F : 50pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package : TO-263AB (D²PAK)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für GPAS1006 MNG
Datenblätter : GPAS1006 MNG.pdf
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