TSM60NB1R4CP ROG - MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO252

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO252
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für TSM60NB1R4CP ROG

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : TSM60NB1R4CP ROG
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO252
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7.12nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 257.3pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 28.4W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-252, (D-Pak)
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für TSM60NB1R4CP ROG

Datenblätter : TSM60NB1R4CP ROG.pdf

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