NSB8MTHE3_A/I - DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für NSB8MTHE3_A/I
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NSB8MTHE3_A/I
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1000V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 8A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F : 55pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package : TO-263AB
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für NSB8MTHE3_A/I
Datenblätter : NSB8MTHE3_A/I.pdf
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