ESH2B-M3/5BT - DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-ESH2B-M3/5BT
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
3652605 Pieces
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Technische Daten für ESH2B-M3/5BT
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
ESH2B-M3/5BT
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
930mV @ 2A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
35ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
2µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F :
30pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
DO-214AA, SMB
Supplier Device Package :
DO-214AA (SMB)
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 175°C
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für ESH2B-M3/5BT
Datenblätter :
ESH2B-M3/5BT.pdf
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