W979H2KBVX2E - IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Hersteller Teilenummer

W979H2KBVX2E

Interne Teilenummer

AX-W979H2KBVX2E

Hersteller

Winbond Electronics

Kurze Beschreibung

IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

130120 Pieces

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Technische Daten für W979H2KBVX2E

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : W979H2KBVX2E

Hersteller : Winbond Electronics

Beschreibung : IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Serie : -

Teilestatus : Active

Speichertyp : Volatile

Speicherformat : DRAM

Technologie : SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße : 512Mb (16M x 32)

Taktfrequenz : 400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns

Zugriffszeit : -

Speicherschnittstelle : Parallel

Spannungsversorgung : 1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur : -25°C ~ 85°C (TC)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 134-VFBGA

Supplier Device Package : 134-VFBGA (10x11.5)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : W979 , W979H2

Dokumente für W979H2KBVX2E

Datenblätter : W979H2KBVX2E.pdf

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