FCB199N65S3 - MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK

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MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für FCB199N65S3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FCB199N65S3
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK
Serie : SuperFET® III
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 14A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 199 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1225pF @ 400V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 98W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D²PAK (TO-263)
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für FCB199N65S3

Datenblätter : FCB199N65S3.pdf

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