N0601N-ZK-E1-AY - MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für N0601N-ZK-E1-AY
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
N0601N-ZK-E1-AY
Hersteller :
Renesas Electronics America
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
133nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
7730pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.5W (Ta), 156W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-263
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für N0601N-ZK-E1-AY
Datenblätter :
N0601N-ZK-E1-AY.pdf
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