2SJ661-1E - MOSFET P-CH 60V 38A

Hersteller Teilenummer

2SJ661-1E

Interne Teilenummer

AX-2SJ661-1E

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 60V 38A

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

198130 Pieces

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Technische Daten für 2SJ661-1E

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : 2SJ661-1E

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET P-CH 60V 38A

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 38A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4360pF @ 20V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.65W (Ta), 65W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-262-3

Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : 2SJ , 2SJ6

Dokumente für 2SJ661-1E

Datenblätter : 2SJ661-1E.pdf

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