IPI80N04S2H4AKSA2 - MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3

Hersteller Teilenummer

IPI80N04S2H4AKSA2

Interne Teilenummer

AX-IPI80N04S2H4AKSA2

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

52734 Pieces

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Technische Daten für IPI80N04S2H4AKSA2

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPI80N04S2H4AKSA2

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.7 mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 148nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4400pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 300W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : PG-TO262-3-1

Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IPI80N04S2H4AKSA2

Datenblätter : IPI80N04S2H4AKSA2.pdf

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