IXFT320N10T2 - MOSFET N-CH 100V 320A TO-26
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IXFT320N10T2
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 320A TO-26
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
46440 Pieces
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Technische Daten für IXFT320N10T2
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IXFT320N10T2
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 320A TO-26
Serie :
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
320A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
430nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
26000pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1000W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-268
Paket / fall :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IXFT320N10T2
Datenblätter :
IXFT320N10T2.pdf
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