PD20010-E - TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

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TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
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Technische Daten für PD20010-E

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : PD20010-E
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : LDMOS
Frequenz : 2GHz
Gewinnen : 11dB
Spannungs - Test : 13.6V
Aktuelle Bewertung : 5A
Rauschzahl : -
Aktueller Test : 150mA
Leistung : 10W
Spannung - bewertet : 40V
Paket / fall : PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Supplier Device Package : PowerSO-10RF (Formed Lead)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für PD20010-E

Datenblätter : PD20010-E.pdf

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