HGTP5N120BND - IGBT 1200V 21A 167W TO220AB

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IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
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Technische Daten für HGTP5N120BND

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : HGTP5N120BND
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
IGBT-Typ : NPT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 21A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 40A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 5A
Leistung max : 167W
Energie wechseln : 450µJ (on), 390µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 53nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 22ns/160ns
Testbedingung : 960V, 5A, 25 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : 65ns
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-220-3
Supplier Device Package : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für HGTP5N120BND

Datenblätter : HGTP5N120BND.pdf

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