RQK0607AQDQS#H1 - MOSFET N-CH

Hersteller Teilenummer

RQK0607AQDQS#H1

Interne Teilenummer

AX-RQK0607AQDQS#H1

Hersteller

Renesas Electronics America

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

21760 Pieces

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Technische Daten für RQK0607AQDQS#H1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : RQK0607AQDQS#H1

Hersteller : Renesas Electronics America

Beschreibung : MOSFET N-CH

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 170pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.5W (Ta)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : UPAK

Paket / fall : TO-243AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : RQK06 , RQK0607

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Datenblätter : RQK0607AQDQS#H1.pdf

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