FDN306P - MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3

Hersteller Teilenummer

FDN306P

Interne Teilenummer

AX-FDN306P

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

2908365 Pieces

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Technische Daten für FDN306P

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDN306P

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 2.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1138pF @ 6V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 500mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SuperSOT-3

Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : FDN306P.pdf

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