CYD18S18V18-200BBAXI - IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA

Hersteller Teilenummer

CYD18S18V18-200BBAXI

Interne Teilenummer

AX-CYD18S18V18-200BBAXI

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Kurze Beschreibung

IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

28714 Pieces

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Technische Daten für CYD18S18V18-200BBAXI

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : CYD18S18V18-200BBAXI

Hersteller : Cypress Semiconductor Corp

Beschreibung : IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

Speichertyp : Volatile

Speicherformat : SRAM

Technologie : SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße : 18Mb (1M x 18)

Taktfrequenz : 200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -

Zugriffszeit : 3.3ns

Speicherschnittstelle : Parallel

Spannungsversorgung : 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 256-LBGA

Supplier Device Package : 256-FBGA (17x17)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : CYD18S , CYD18S18V1

Dokumente für CYD18S18V18-200BBAXI

Datenblätter : CYD18S18V18-200BBAXI.pdf

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