M474A1K43BB1-CTD - DDR4 ECC SODIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 260 (1G x 8) x 18 Mass Production
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
DDR4 ECC SODIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 260 (1G x 8) x 18 Mass Production
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für M474A1K43BB1-CTD
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
M474A1K43BB1-CTD
Hersteller :
Samsung Semiconductor
Beschreibung :
DDR4 ECC SODIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 260 (1G x 8) x 18 Mass Production
Serie :
DDR3
DDR :
DDR4
Dimm-Typ :
ECC SODIMM
Dichte :
8 GB
Rang x Org. :
1R x 8
Geschwindigkeit :
2666 Mbps
Stromspannung :
1.2 V
Anzahl der Pin :
260
Komponente Zusammensetzung :
(1G x 8) x 18
Produckstatus :
Mass Production
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für M474A1K43BB1-CTD
Datenblätter :
M474A1K43BB1-CTD.pdf
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