EPC2106 - GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE

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Kurze Beschreibung
GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für EPC2106

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : EPC2106
Hersteller : EPC
Beschreibung : GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
Serie : eGaN®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 2A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 600µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.73nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 75pF @ 50V
Leistung max : -
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : Die
Supplier Device Package : Die
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : EPC2106.pdf

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