SI5509DC-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
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MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
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Technische Daten für SI5509DC-T1-GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SI5509DC-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.1A, 4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 52 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6.6nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 455pF @ 10V
Leistung max : 4.5W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SMD, Flat Lead
Supplier Device Package : 1206-8 ChipFET™
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SI5509DC-T1-GE3
Datenblätter : SI5509DC-T1-GE3.pdf
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