SI4100DY-T1-GE3 - MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

Hersteller Teilenummer

SI4100DY-T1-GE3

Interne Teilenummer

AX-SI4100DY-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für SI4100DY-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI4100DY-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 63 mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 600pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta), 6W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-SO

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für SI4100DY-T1-GE3

Datenblätter : SI4100DY-T1-GE3.pdf

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