STW35N60M2-EP - MOSFET
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
142260 Pieces
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Technische Daten für STW35N60M2-EP
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
STW35N60M2-EP
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
MOSFET
Serie :
MDmesh™ M2-EP
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
-
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247
Paket / fall :
TO-247-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für STW35N60M2-EP
Datenblätter :
STW35N60M2-EP.pdf
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