SQM100N02-3M5L_GE3 - MOSFET N-CH 20V 100A TO263
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MOSFET N-CH 20V 100A TO263
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Technische Daten für SQM100N02-3M5L_GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SQM100N02-3M5L_GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 100A TO263
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5500pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 150W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-263 (D²Pak)
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SQM100N02-3M5L_GE3
Datenblätter : SQM100N02-3M5L_GE3.pdf
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