S3BHE3/9AT - DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

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Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
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Technische Daten für S3BHE3/9AT

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : S3BHE3/9AT
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.15V @ 2.5A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 2.5µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F : 60pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-214AB, SMC
Supplier Device Package : DO-214AB (SMC)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für S3BHE3/9AT

Datenblätter : S3BHE3/9AT.pdf

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