TSM150NB04CR RLG - MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
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Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für TSM150NB04CR RLG
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
TSM150NB04CR RLG
Hersteller :
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung :
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10A (Ta), 41A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
19nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1092pF @ 20V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.1W (Ta), 56W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-PDFN (5x6)
Paket / fall :
8-PowerTDFN
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für TSM150NB04CR RLG
Datenblätter :
TSM150NB04CR RLG.pdf
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